简介

KYDP10压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的抗电磁干扰能力，适合苛刻的流程工业环境中压力测量应用。

优势

单晶硅压阻技术压力传感器

中心膜片过载防护结构

特征

测量范围: 6kPa~3MPa

输出信号: 4-20mA,4~20mA/HART

参考精度: ±0.075%,±0.05% URL

介质温度: -40-120℃,

测量介质：液体、气体或蒸汽

电源: 4~20mA 二线制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二线制, 16.5-55vdc

膜片材质：316L不锈钢，哈氏合金C

年稳定性: ±0.2% URL/5年

过程连接: M20*1.5(M), 1/2-14NPT(F), 1/4-18NPT(F)

防护等级: IP67

认证: 防爆认证  本安 隔爆

常用型号：

KYDP10-T11A21F-M1L1

KYDP10-T11B21F-M1L1

KYDP10-T11C21F-M1L1

KYDP10-T11D21F-M1L1

KYDP10-T11E21F-M1L1